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IPG20N10S4L22ATMA1_射频晶体管
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¥10.386519

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22mOhm 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1755pF 25V

功率 - 最大值: 60W

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-4

温度: -55°C # 175°C (TJ)

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IPG20N10S4L22ATMA1_未分类
IPG20N10S4L22ATMA1
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 8TDSON

未分类

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¥18.38915

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¥14.30266

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22mOhm 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1755pF 25V

功率 - 最大值: 60W

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-4

温度: -55°C # 175°C (TJ)

自营 国内现货
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IPG20N10S4L22ATMA1_射频晶体管
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¥6.938834

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国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22mOhm 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1755pF 25V

功率 - 最大值: 60W

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-4

温度: -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key
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IPG20N10S4L22ATMA1_射频晶体管
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¥11.990282

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

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系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

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漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22mOhm 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 25µA

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工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

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封装/外壳: 8-PowerVDFN

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¥13.668971

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

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¥14.215764

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系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

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工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

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Mouser
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IPG20N10S4L22ATMA1
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MOSFET 2N-CH 8TDSON

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¥15.102075

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¥11.891183

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22mOhm 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1755pF 25V

功率 - 最大值: 60W

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-4

温度: -55°C # 175°C (TJ)

IPG20N10S4L22ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22mOhm 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1755pF 25V
功率 - 最大值: 60W
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-4
温度: -55°C # 175°C (TJ)