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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.630016 +10：￥13.753344 +30：￥11.46112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.386519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册未分类	+10：￥18.38915 +100：￥14.30266 +500：￥11.829338 +1000：￥10.442073 +5000：￥10.431237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

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	IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥4.565927 +10000：￥4.414772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

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	IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥11.169465 +10000：￥10.799702	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥25.717658 +10：￥21.374233 +100：￥17.016517 +500：￥14.398174 +1000：￥12.216603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥25.717658 +10：￥21.374233 +100：￥17.016517 +500：￥14.398174 +1000：￥12.216603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥23.95784 +10：￥21.334719 +100：￥17.662348 +500：￥16.420739 +1000：￥14.217317	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IPG20N10S4L22ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22mOhm 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1755pF 25V
功率 - 最大值:	60W
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-4
温度:	-55°C # 175°C (TJ)