IPN50R2K0CEATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.243721 +10：￥4.1624 +30：￥3.468707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 600mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 124 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.565256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 600mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 124 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.436291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 600mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 124 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.513549	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 600mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 124 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.208901 +10：￥7.905487 +100：￥5.902199 +500：￥4.637886 +1000：￥3.583823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.617048	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管	+1：￥7.02555 +10：￥6.094258 +100：￥4.574778 +500：￥3.692498 +1000：￥2.989944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 600mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 124 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R2K0CEATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.515772	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPN50R2K0CEATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CE
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 600mA，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	124 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	5W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）