搜索 IPD60R600E6 共 8 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPD60R600E6 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 | +1: ¥3.991106 +200: ¥1.543928 +500: ¥1.491413 +1000: ¥1.470407 |
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IPD60R600E6 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPD60R600E6 授权代理品牌 | 1+: |
IPD60R600E6参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolMOS™ |
零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 600 毫欧 2.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V 200µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20.5 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 440 pF 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 63W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO252-3 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |