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	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.417657 +10：￥17.833941 +30：￥16.300516	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.16616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	+5：￥19.296228	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥4.333313 +10000：￥4.133295	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥7.487951 +10000：￥7.142321	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.009648 +10：￥15.553348 +100：￥12.095814 +500：￥10.25262 +1000：￥8.351902	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.009648 +10：￥15.553348 +100：￥12.095814 +500：￥10.25262 +1000：￥8.351902	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Power - Max： 54W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 39nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 22µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-4 Part Status： Active

Mouser

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	IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥24.012269 +10：￥18.519267 +100：￥15.066522 +500：￥13.026264 +1000：￥9.997267	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPG20N04S4L08ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.2 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 22µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3050pF 25V
功率 - 最大值:	54W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）