IPZA60R080P7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.463879 +200：￥38.72 +500：￥30.976 +1000：￥25.813293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.655917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥51.186152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8：￥54.479396 +16：￥51.762267	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥38.242886 +100：￥37.895254 +300：￥37.721376 +500：￥37.547498 +1000：￥37.373743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.276588 +10：￥37.273517 +100：￥30.858312 +500：￥26.871059 +1000：￥23.403826	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥102.959815 +30：￥59.108879 +120：￥49.456664 +510：￥43.434662	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管	+1：￥94.356662 +10：￥94.025004 +25：￥59.035101 +100：￥52.236113 +480：￥46.929588	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPZA60R080P7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥98.97853 +10：￥89.618413 +100：￥65.005702 +500：￥64.478017 +1000：￥59.238864	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPZA60R080P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 11.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	51 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2180 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	129W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-4
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥51.186152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8：￥54.479396 +16：￥51.762267	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥38.242886 +100：￥37.895254 +300：￥37.721376 +500：￥37.547498 +1000：￥37.373743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 11.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 590µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 129W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）