IPN50R3K0CEATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN50R3K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.738407	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 400mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 84 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN50R3K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 400mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 84 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN50R3K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.848968 +6000：￥0.805791 +9000：￥0.748222 +30000：￥0.730975 +75000：￥0.712329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 400mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 84 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN50R3K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.0768 +6000：￥1.971177 +9000：￥1.830349 +30000：￥1.788157 +75000：￥1.742545	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 400mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 84 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN50R3K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.129193 +10：￥5.259704 +100：￥3.660411 +500：￥2.8582 +1000：￥2.323108	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN50R3K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.72816	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R3K0CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管	+1：￥7.006557 +10：￥6.012604 +100：￥4.187641 +500：￥3.275159 +1000：￥2.655975	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 400mA，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 84 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R3K0CEATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.325875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R3K0CEATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 700V, 10.5A, TO-251-3 下载数据手册未分类	+5：￥3.945091 +100：￥2.753879 +500：￥2.151869 +1000：￥1.741989	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN50R3K0CEATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 500V, 2.6A, SOT-223-3 下载数据手册未分类	+5：￥4.089737 +100：￥2.843449 +500：￥2.226362 +1000：￥1.814967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPN50R3K0CEATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CE
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 欧姆 400mA，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	84 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	5W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）