搜索 IRF5805TRPBF 共 20 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IRF5805TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥1.256357 +100: ¥0.843614 +1000: ¥0.708914 | 暂无参数 | |||
IRF5805TRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥0.836131 +1000: ¥0.793233 +15000: ¥0.771732 +21000: ¥0.750336 +30000: ¥0.721772 | 暂无参数 | |||
IRF5805TRPBF 授权代理品牌 | +3000: ¥0.50542 +6000: ¥0.479257 +9000: ¥0.453789 | 暂无参数 | |||
IRF5805TRPBF 授权代理品牌 | +3000: ¥2.361555 +6000: ¥2.322196 +9000: ¥2.263157 +15000: ¥2.223798 | ||||
IRF5805TRPBF | +5: ¥0.879332 +25: ¥0.857338 +50: ¥0.835342 +100: ¥0.813348 +200: ¥0.798761 | 暂无参数 | |||
IRF5805TRPBF | +10: ¥0.918344 +30: ¥0.894728 +100: ¥0.863357 +3000: ¥0.855485 | 暂无参数 | |||
IRF5805TRPBF | +3000: ¥0.513986 +6000: ¥0.487592 +9000: ¥0.461893 | 暂无参数 |
IRF5805TRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 98 毫欧 3.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 17 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 511 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | Micro6™(TSOP-6) |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |