品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®, StrongIRFET™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），211A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 158 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8292 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），63W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ MD

封装/外壳： DirectFET™ Isometric MD

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®, StrongIRFET™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），211A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 158 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8292 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），63W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ MD

封装/外壳： DirectFET™ Isometric MD

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®, StrongIRFET™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），211A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 158 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8292 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），63W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ MD

封装/外壳： DirectFET™ Isometric MD

温度： -40°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： DirectFET™ Isometric MD

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 38A (Ta), 211A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 0.75mOhm @ 50A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.1W (Ta), 63W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.1V @ 100µA

Supplier Device Package： DIRECTFET™ MD

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 158 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 8292 pF @ 10 V

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®, StrongIRFET™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Ta），211A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 158 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8292 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），63W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DIRECTFET™ MD

封装/外壳： DirectFET™ Isometric MD

温度： -40°C # 150°C（TJ）