IXTH22N50P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH22N50P 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥26.607902 +200：￥10.304416 +500：￥9.932888 +1000：￥9.758052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH22N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.281804 +10：￥34.389917 +100：￥28.177377 +500：￥23.98688 +1000：￥20.229878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH22N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥93.647435 +10：￥84.12685 +100：￥68.92933 +500：￥58.678263 +1000：￥49.487642	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH22N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH22N50P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥45.032622 +500：￥40.306624 +1000：￥38.864549	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH22N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	270 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2630 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）