IRF730厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRF730 共 15 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF730 CJT(长江连接器) 授权代理品牌	MOS场效应管 IRF730 TO-220-3L 下载数据手册	+1：￥12.904416 +5：￥10.391472 +10：￥7.292736 +20：￥5.62104 +50：￥3.788064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF730 ON(安森美) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥8.916652 +200：￥3.453017 +500：￥3.332817 +1000：￥3.278181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF730 null(欧芯) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥1.338809 +50：￥1.086389 +150：￥0.97821 +500：￥0.843258 +2000：￥0.783157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF730 HARRIS(哈利斯) 授权代理品牌	N-CHANNEL, MOSFET 下载数据手册未分类	+1：￥8.916652 +200：￥3.453017 +500：￥3.332817 +1000：￥3.278181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Harris Corporation 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerMESH™ II 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1Ohm 3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF730 授权代理品牌	IRF730 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥3.673491 +20：￥3.453659 +100：￥3.422287 +1000：￥3.359543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRF730 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF730 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerMESH™ II 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF730 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+216：￥13.554827	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1Ohm 3.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF730 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerMESH™ II 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 150°C（TJ）
IRF730 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF730参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerMESH™ II
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	530 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	150°C（TJ）