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搜索 IRF830 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830 CJT(长江连接器) 授权代理品牌	MOS场效应管 IRF830 TO-220-3L 下载数据手册	+1：￥9.954791 +10：￥6.732077 +20：￥4.94164 +50：￥3.580874 +100：￥3.401794	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830 minos(迈诺斯) 授权代理品牌	N沟道 5A 500V 下载数据手册未分类	+1：￥1.522715 +10：￥1.2244 +50：￥1.096551 +100：￥0.937123 +500：￥0.866095	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF830 HARRIS(哈利斯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥10.479252 +200：￥4.064944 +500：￥3.911963 +1000：￥3.846399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.5Ohm @ 2.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220AB Part Status： Active Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 600 pF @ 25 V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.3055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： PowerMESH™ 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220AB
	IRF830 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.3055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.978659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件,管件封装/外壳： * 系列： PowerMESH™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： 150°C（TJ）
	IRF830 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerMESH™ 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220AB
	IRF830 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF830 HARRIS(哈利斯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+207：￥21.206503	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.5Ohm @ 2.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220AB Part Status： Active Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 600 pF @ 25 V

IRF830参数规格

属性	参数值
系列:	PowerMESH™
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
封装/外壳:	TO-220-3
供应商器件封装:	TO-220AB