IRF5803D2TRPBF厂家价格_数据手册

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF5803D2TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF5803D2TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.926299 +1000：￥2.776209 +4000：￥2.701166 +8000：￥2.626227 +12000：￥2.526098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF5803D2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FETKY™ 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803D2TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF5803D2TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.952658 +4000：￥2.829758 +8000：￥2.70664 +12000：￥2.509847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF5803D2TRPBF 授权代理品牌	IRF5803D2TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥3.590259 +500：￥3.313933 +2000：￥3.03784 +6000：￥2.76163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF5803D2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FETKY™ 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF5803D2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FETKY™ 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1110 pF 25 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF5803D2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FETKY™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
IRF5803D2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.074745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FETKY™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF5803D2TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	FETKY™
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	112 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1110 pF 25 V
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）