搜索 IRF7478QTRPBF 共 7 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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IRF7478QTRPBF 授权代理品牌 | +7： ￥1.930803 +200： ￥1.883687 +500： ￥1.805201 +4000： ￥1.773829 | 暂无参数 | |||
IRF7478QTRPBF 授权代理品牌 | +7： ￥1.883456 +1000： ￥1.804738 +2000： ￥1.773482 +5000： ￥1.648458 | 暂无参数 | |||
IRF7478QTRPBF 授权代理品牌 | +50： ￥1.073697 +4000： ￥1.028897 +24000： ￥0.939528 | 暂无参数 |
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| 授权代理品牌 | 1+: | |||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： HEXFET® 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| IRF7478QTRPBF 授权代理品牌 | 1+: |
IRF7478QTRPBF参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 26 毫欧 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 31 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1740 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 温度: | - |