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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN50N120SK IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥421.36281 +10：￥400.305281 +100：￥360.80318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 40A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 115 nC 20 V Vgs（最大值）： +20V，-5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 1000 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN50N120SK IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1030.765082 +10：￥979.252785 +100：￥882.620181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 40A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 115 nC 20 V Vgs（最大值）： +20V，-5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 1000 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN50N120SK IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B 下载数据手册	+1：￥1046.625145 +10：￥994.375954 +30：￥968.114582	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 40A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 115 nC 20 V Vgs（最大值）： +20V，-5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1895 pF 1000 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -40°C # 175°C（TJ）

IXFN50N120SK参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	115 nC 20 V
Vgs（最大值）:	+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1895 pF 1000 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-40°C # 175°C（TJ）