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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥106.518841 +10：￥88.765721 +30：￥71.01248 +100：￥59.177107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.452444 +10：￥41.337862 +30：￥40.594808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥24.52706	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥59.999689	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -
	IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+3000：￥48.481376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 900µA Supplier Device Package： PG-VSON-4 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3193 pF @ 400 V
	IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+1：￥111.833024 +10：￥75.835335 +100：￥55.428487 +500：￥48.481376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 900µA Supplier Device Package： PG-VSON-4 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3193 pF @ 400 V
	IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+1：￥111.833024 +10：￥75.835335 +100：￥55.428487 +500：￥48.481376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 60mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 900µA Supplier Device Package： PG-VSON-4 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3193 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册未分类	+3000：￥52.401942	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, 600V, 40A, 150度 C, 219W 下载数据手册未分类	+1：￥78.504726 +10：￥67.271467 +100：￥56.063825 +500：￥49.467328 +1000：￥44.523159	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 IPD50R系列, Vds=600 V, 40 A, ThinPAK 8 x 8封装, 表面贴装, 5引脚下载数据手册未分类	+3000：￥43.206687 +15000：￥41.910224	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPL60R060CFD7AUMA1参数规格

属性	参数值
系列:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
封装/外壳:	-
供应商器件封装:	-