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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7907TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.680186 +10：￥9.078146 +30：￥7.476106 +100：￥6.675086 +500：￥6.141113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A，11A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.4 毫欧 9.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7907TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.997162 +10：￥4.999385 +30：￥4.495245 +100：￥3.991106 +500：￥3.413446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A，11A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.4 毫欧 9.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7907TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.21752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A，11A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.4 毫欧 9.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7907TRPBF 授权代理品牌	IRF7907TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.429435 +100：￥1.393665 +1000：￥1.310316 +4000：￥1.250814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7907TRPBF 授权代理品牌	IRF7907TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.380815 +500：￥1.274661 +2000：￥1.168391 +6000：￥1.062237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7907TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRF7907TRPBF TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.38915 +6000：￥1.308116 +12000：￥1.273388 +15000：￥1.192354	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7907TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7907TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.030634 +3000：￥0.948095 +9000：￥0.931657 +15000：￥0.906884 +18000：￥0.849234	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7907TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.719304 +8000：￥2.542195	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A，11A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.4 毫欧 9.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7907TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥6.652138 +8000：￥6.218881	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A，11A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.4 毫欧 9.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7907TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥25.548663 +10：￥16.216518 +100：￥10.852827 +500：￥8.547023 +1000：￥7.804122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7907TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.1A，11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16.4 毫欧 9.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	850pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）