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自营 国内现货
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IXTN210P10T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥293.262879

+10:

¥261.293374

+100:

¥229.349543

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 210A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 105A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 740 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 69500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 830W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXTN210P10T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥717.398708

+10:

¥639.192826

+100:

¥561.049752

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 210A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 105A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 740 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 69500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 830W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXTN210P10T_null
授权代理品牌

MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B

+1:

¥819.764524

+10:

¥730.510703

+20:

¥687.107565

+50:

¥664.100638

+100:

¥641.256882

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 210A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 105A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 740 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 69500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 830W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTN210P10T_未分类
IXTN210P10T
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B

未分类

+300:

¥574.002958

+500:

¥568.296332

+1000:

¥562.589708

+2000:

¥557.02227

+2500:

¥551.454831

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXTN210P10T_未分类
IXTN210P10T
授权代理品牌

场效应管, MOSFET 模块, P沟道, 100V, 210A

未分类

+1:

¥463.806222

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¥432.625109

+100:

¥375.673423

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXTN210P10T_未分类
IXTN210P10T
授权代理品牌

MOSFET MODULE, P CH, 100V, 210A

未分类

+1:

¥478.383077

+10:

¥446.280561

+100:

¥387.486984

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTN210P10T参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: TrenchP™
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 210A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 105A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 740 nC 10 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 69500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 830W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
温度: -55°C # 150°C(TJ)