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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IXTN210P10T 授权代理品牌 | 场效应管, MOSFET 模块, P沟道, 100V, 210A | +1: ¥463.806222 +10: ¥432.625109 +100: ¥375.673423 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IXTN210P10T 授权代理品牌 | MOSFET MODULE, P CH, 100V, 210A | +1: ¥478.383077 +10: ¥446.280561 +100: ¥387.486984 | 暂无参数 |
IXTN210P10T参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | IXYS |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | TrenchP™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 210A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7.5 毫欧 105A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 740 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 69500 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 830W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
供应商器件封装: | SOT-227B |
封装/外壳: | SOT-227-4,miniBLOC |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |