IXFQ24N60X厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFQ24N60X Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥101.42692 +210：￥40.474608 +510：￥39.119627 +990：￥38.453063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFQ24N60X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥82.250857	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFQ24N60X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P 下载数据手册晶体管	+1：￥116.291699 +10：￥99.6786 +30：￥90.41024 +120：￥83.065501 +270：￥78.169007	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFQ24N60X参数规格

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