IXFN210N30X3厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N30X3 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥791.221766 +200：￥315.710685 +500：￥305.154942 +1000：￥299.942634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B 下载数据手册未分类	+1：￥525.256131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 210A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 375 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 695W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFN210N30X3 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFN210N30X3 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+1：￥475.28123 +5：￥438.966247 +10：￥391.133299 +50：￥345.118977 +100：￥328.820947	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥611.163391 +10：￥570.164568 +100：￥495.055293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 210A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 375 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 695W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B 下载数据手册未分类	+1：￥643.947271 +10：￥600.835547 +30：￥575.596089 +100：￥521.570004	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 210A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 375 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 695W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN210N30X3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥426.366059 +25：￥404.570578 +50：￥400.701557 +100：￥371.039066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN210N30X3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X3
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	210A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.6 毫欧 105A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	375 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	24200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	695W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）