IPT210N25NFDATMA1厂家价格_数据手册

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	IPT210N25NFDATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

自营国内现货

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	IPT210N25NFDATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥33.697982	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPT210N25NFDATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥82.434194	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -
IPT210N25NFDATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册未分类	+2000：￥76.795548	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 21mOhm @ 69A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 267µA Supplier Device Package： PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7000 pF @ 125 V
IPT210N25NFDATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册未分类	+1：￥140.555148 +10：￥127.005229 +100：￥105.150564 +500：￥91.563951 +1000：￥79.749231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 21mOhm @ 69A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 267µA Supplier Device Package： PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7000 pF @ 125 V
IPT210N25NFDATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册未分类	+1：￥140.555148 +10：￥127.005229 +100：￥105.150564 +500：￥91.563951 +1000：￥79.749231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 21mOhm @ 69A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 267µA Supplier Device Package： PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7000 pF @ 125 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT210N25NFDATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册未分类	+2000：￥99.740661	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT210N25NFDATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 69A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥96.541131 +4000：￥95.57371 +6000：￥94.618852 +8000：￥93.676558 +10000：￥92.734265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPT210N25NFDATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	-
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	-
温度:	-