IPD135N08N3GATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD135N08N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.411268 +200：￥8.534493 +800：￥6.616643 +2500：￥4.794625 +5000：￥4.554924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1730 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD135N08N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.587596 +10：￥14.358433 +30：￥12.959742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1730 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD135N08N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.059066	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1730 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD135N08N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.123425 +5000：￥2.967202 +12500：￥2.855654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1730 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD135N08N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.640724 +5000：￥7.258562 +12500：￥6.985687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1730 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD135N08N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.0494 +10：￥16.10234 +100：￥12.552151 +500：￥10.369453 +1000：￥8.18647	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD135N08N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.0494 +10：￥16.10234 +100：￥12.552151 +500：￥10.369453 +1000：￥8.18647	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD135N08N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥18.135723 +10：￥14.982393 +100：￥11.649343 +500：￥9.884787 +1000：￥8.038536	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1730 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD135N08N3GATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥6.38227 +5000：￥6.355055 +12500：￥6.186047	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD135N08N3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.5 毫欧 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1730 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	79W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）