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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B 下载数据手册未分类	+1：￥188.735807 +10：￥179.032392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 66A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B 下载数据手册未分类	+10：￥280.046509 +30：￥272.33852 +100：￥266.078237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 66A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥244.486365 +10：￥217.865036 +100：￥191.230273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 66A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥598.07843 +10：￥532.955606 +100：￥467.799918	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 66A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B 下载数据手册	+1：￥697.576435 +10：￥592.882805 +20：￥572.793387 +50：￥553.683941 +100：￥534.574495	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar3™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 112A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 66A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥331.310467 +25：￥317.364519 +50：￥314.223541 +100：￥290.980296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥503.460626 +10：￥405.458749	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	Single N-Channel 500 V 1500 W 267 nC Chassis Mount Power Mosfet - SOT227 下载数据手册未分类	+10：￥284.414677 +20：￥282.60494 +40：￥280.7952 +50：￥280.223704 +150：￥276.604226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN132N50P3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+10：￥303.083558 +20：￥301.08332 +40：￥299.178332 +50：￥298.606835 +150：￥294.796861	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN132N50P3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 112 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, IXFN132N50P3 下载数据手册未分类	+1：￥336.651005 +3：￥333.287597 +15：￥323.292786	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN132N50P3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar3™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	112A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	39 毫欧 66A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	250 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	18600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）