IXFN80N50P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥528.300723 +200：￥210.797966 +500：￥203.749876 +1000：￥200.275005	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B 下载数据手册未分类	+1：￥394.797701	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥205.796034 +10：￥189.785337 +100：￥162.065632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥528.414865 +10：￥390.849536 +100：￥344.806763	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B 下载数据手册	+1：￥499.974233 +10：￥391.687939 +20：￥388.371361 +50：￥388.205532 +100：￥373.612585	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 66A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+300：￥334.938426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, 模块, N沟道, 500V, 66A 下载数据手册未分类	+1：￥282.866617 +5：￥267.35733 +10：￥251.83511 +50：￥236.325824 +100：￥225.098084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥481.098591 +10：￥387.525388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN80N50P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥269.013546 +5：￥222.22858 +100：￥192.987979	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN80N50P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, MODULE, N-CH, 500V, 66A 下载数据手册未分类	+1：￥318.998703 +5：￥281.074084 +10：￥243.136684 +50：￥241.373344	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN80N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	66A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	65 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	195 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）