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IXFL100N50P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥258.793796

+10:

¥238.734915

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¥228.003001

+100:

¥201.179119

+250:

¥187.767177

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 625W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS264™

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFL100N50P_晶体管
IXFL100N50P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264

晶体管

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+50:

¥432.479767

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¥418.592052

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 625W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS264™

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IXFL100N50P_未分类
IXFL100N50P
授权代理品牌
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¥200.078327

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¥199.600813

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¥197.977265

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFL100N50P参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 625W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS264™
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)