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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFB82N60P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥178.609809 +10：￥164.733379 +100：￥140.673178 +500：￥127.716669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS264™ 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFB82N60P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥436.926918 +10：￥402.981493 +100：￥344.123867 +500：￥312.428813	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS264™ 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFB82N60P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 下载数据手册未分类	+1：￥446.035624 +10：￥411.250456 +25：￥392.735769 +100：￥351.217989	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS264™ 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFB82N60P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 下载数据手册未分类	+25：￥260.32434 +2500：￥234.317034	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFB82N60P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	82A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	75 毫欧 41A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	240 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PLUS264™
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）