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IMW65R048M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R048M1HXKSA1
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品牌： Infineon Technologies

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零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

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IMW65R048M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
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品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

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零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

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IMW65R048M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R048M1HXKSA1
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品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

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FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）

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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

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Digi-Key
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IMW65R048M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R048M1HXKSA1
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品牌： Infineon Technologies

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）

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Mouser
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IMW65R048M1HXKSA1_晶体管
IMW65R048M1HXKSA1
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MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

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晶体管
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品牌： Infineon Technologies

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）

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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

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艾睿
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IMW65R048M1HXKSA1_未分类
IMW65R048M1HXKSA1
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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未分类
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R048M1HXKSA1_未分类
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
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场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 39A, TO-247

未分类
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IMW65R048M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
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MOSFET, N-CH, 650V, 39A, TO-247

未分类
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IMW65R048M1HXKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
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