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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK27N80Q IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.332599 +10：￥65.530838 +25：￥59.553622 +100：￥54.548932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q Class 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 320mOhm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-264AA (IXFK) 封装/外壳： TO-264-3, TO-264AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK27N80Q Zilog 授权代理品牌	IXFK27N80Q 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-264-3,TO-264AA

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK27N80Q IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥355.387298 +25：￥242.985165 +100：￥242.133032	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q Class 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 320mOhm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-264AA (IXFK) 封装/外壳： TO-264-3, TO-264AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK27N80Q IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA 下载数据手册未分类	+300：￥308.110158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q Class 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 320mOhm 500mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-264AA (IXFK) 封装/外壳： TO-264-3, TO-264AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK27N80Q Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 下载数据手册未分类	+300：￥355.523828 +500：￥351.963947 +1000：￥348.404064 +2000：￥344.998961 +2500：￥341.43908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK27N80Q Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥305.562175 +10：￥245.700579 +25：￥227.831446 +50：￥222.470707 +100：￥209.962314	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK27N80Q Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q-Class系列, Vds=800 V, 27 A, TO-264AA封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+7：￥269.10788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFK27N80Q Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q-Class系列, Vds=800 V, 27 A, TO-264AA封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+1：￥274.881868 +7：￥269.10788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFK27N80Q参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Q Class
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	27A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	320mOhm 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	170 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-264AA (IXFK)
封装/外壳:	TO-264-3, TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C (TJ)