IXTA86N20T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥66.011638 +200：￥26.345648 +500：￥25.460539 +1000：￥25.023448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 86A TO-263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.428788 +10：￥33.627971 +100：￥27.553034 +500：￥23.455567 +1000：￥19.781752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 86A TO-263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.560732 +10：￥82.262926 +100：￥67.402023 +500：￥57.378532 +1000：￥48.391406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 86A TO-263 下载数据手册未分类	+50：￥89.599019	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA86N20T 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+300：￥67.377273 +500：￥66.705927 +1000：￥66.034583 +2000：￥65.377524 +2500：￥64.720462	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTA86N20T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	90 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	480W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263AA
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）