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IXFK32N100X_未分类
IXFK32N100X
授权代理品牌
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国内:1~2 天

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Digi-Key
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IXFK32N100X_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET 1KV 32A ULTRA JCT TO-264

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥236.210929

+25:

¥215.447622

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4075 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 890W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFK32N100X_晶体管
IXFK32N100X
授权代理品牌

MOSFET 1KV 32A ULTRA JCT TO-264

晶体管

+1:

¥256.039872

+25:

¥233.487137

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4075 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 890W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXFK32N100X参数规格

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