IPA50R800CEXKSA2厂家价格_数据手册

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	IPA50R800CEXKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥9.926961	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.5A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA50R800CEXKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.848922 +200：￥8.840161 +500：￥8.534198 +1000：￥8.381216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.5A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA50R800CEXKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.985572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.5A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA50R800CEXKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.5A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA50R800CEXKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.530582 +10：￥4.812782 +100：￥3.333059 +500：￥2.785178 +1000：￥2.370326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.5A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA50R800CEXKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.529268 +10：￥11.773341 +100：￥8.153543 +500：￥6.813282 +1000：￥5.798444	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.5A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPA50R800CEXKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 下载数据手册晶体管	+1：￥15.301386 +10：￥13.458638 +100：￥9.312457 +500：￥7.782319 +1000：￥5.890211	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.5A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26.4W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA50R800CEXKSA2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥6.78059 +1000：￥5.953897	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA50R800CEXKSA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+82：￥3.287766 +100：￥3.179554 +200：￥3.136439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA50R800CEXKSA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥3.153902 +10：￥2.814389 +50：￥2.725043 +100：￥2.635698 +200：￥2.599958	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA50R800CEXKSA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CE
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	800 毫欧 1.5A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	280 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	26.4W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）