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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IMW65R072M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R072M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥74.1125

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Digi-Key
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IMW65R072M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R072M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥197.07048

+10：

￥181.103662

+100：

￥156.398306

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IMW65R072M1HXKSA1_晶体管
IMW65R072M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

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晶体管
+1：

￥197.182651

+10：

￥175.795543

+100：

￥151.167966

+480：

￥124.758128

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IMW65R072M1HXKSA1_未分类
IMW65R072M1HXKSA1
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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未分类
+240：

￥143.721643

+250：

￥142.279571

+500：

￥141.05167

+1000：

￥140.095049

+2000：

￥139.12415

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

IMW65R072M1HXKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
温度: -