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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7307TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥145.635721 +10：￥121.363121 +30：￥97.0904 +100：￥80.908707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7307TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥70.841491 +10：￥63.279821 +30：￥58.668513 +100：￥54.800259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7307TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.798488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7307TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7307TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.483612 +50：￥1.447147 +250：￥1.40964 +500：￥1.384635 +1000：￥1.348171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7307TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.424255 +15：￥3.306177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7307TRPBF 授权代理品牌	IRF7307TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.380815 +500：￥1.274661 +2000：￥1.168391 +6000：￥1.062237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7307TRPBF 授权代理品牌	IRF7307TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.648921 +50：￥1.60771 +200：￥1.511511 +4000：￥1.484075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7307TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7307TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7307TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7307TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.2A，4.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 2.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）