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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKR25N80C 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥143.322073 +200：￥55.466823 +500：￥53.510841 +1000：￥52.549241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKR25N80C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥145.25973 +10：￥133.990727 +100：￥114.420612 +500：￥103.881903	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 355 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKR25N80C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥355.34379 +10：￥327.776821 +100：￥279.903136 +500：￥254.122659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 355 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKR25N80C IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 下载数据手册未分类	+1：￥361.043701 +10：￥332.903329 +30：￥318.013521 +120：￥284.272395	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 355 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKR25N80C 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 25A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 下载数据手册未分类	+30：￥194.866338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXKR25N80C参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	355 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	ISOPLUS247™
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）