IAUC90N10S5N062ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(75V 120V( 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.80256 +10：￥22.53504 +30：￥18.7792	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 59µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3275 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(75V 120V( 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥14.204138 +10000：￥13.734013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 59µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3275 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34 下载数据手册未分类	+1：￥32.739004 +10：￥27.185612 +100：￥21.639872 +500：￥18.309977 +1000：￥15.535883	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6.2mOhm @ 45A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.8V @ 59µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-34 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3275 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101
IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34 下载数据手册未分类	+1：￥32.739004 +10：￥27.185612 +100：￥21.639872 +500：￥18.309977 +1000：￥15.535883	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6.2mOhm @ 45A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.8V @ 59µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-34 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3275 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

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	IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(75V 120V( 下载数据手册未分类	+1：￥42.49962 +10：￥38.151474 +100：￥30.717547 +500：￥25.247299 +1000：￥21.039417	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 59µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3275 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 115W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IAUC90N10S5N062ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥14.293968 +10000：￥14.18843 +15000：￥14.082894 +20000：￥13.9761 +25000：￥13.869307	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUC90N10S5N062ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.2毫欧 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 59µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3275 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	115W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-34
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）