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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA80N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.286735 +50：￥47.35184 +100：￥42.367502 +500：￥37.383038 +1000：￥33.644785	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA80N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥145.031062 +50：￥115.835148 +100：￥103.642135 +500：￥91.448818 +1000：￥82.304057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA80N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA 下载数据手册未分类	+1：￥154.948988 +10：￥132.720019 +50：￥120.461397 +100：￥110.654498 +250：￥104.116567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA80N25X3 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+300：￥90.586715 +500：￥83.999158 +1000：￥77.115004 +2000：￥76.521812 +2500：￥75.928618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA80N25X3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET系列, Vds=250 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚下载数据手册未分类	+1：￥77.241626 +13：￥74.917602 +25：￥72.663651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFA80N25X3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET系列, Vds=250 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚下载数据手册未分类	+50：￥55.928354 +100：￥54.251321 +200：￥52.623338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFA80N25X3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X3
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	83 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5430 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	390W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D2Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）