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IRFP4468PBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFP4468PBF
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系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247AC

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安装类型： Through Hole

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IRFP4468PBF
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MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC

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系列： HEXFET®

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IRFP4468PBF
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MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC

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系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

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工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

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工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

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IRFP4468PBF
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IRFP4468PBF 英飞凌/INFINEON

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IRFP4468PBF
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系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247AC

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IRFP4468PBF
International
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IRFP4468 - 12V-300V N-CHANNEL PO

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国内：1~2 天

品牌： International Rectifier

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6mOhm 180A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 540 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 19860 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 520W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-247AC

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRFP4468PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC