IPP60R099C6XKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R099C6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.769433	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 119 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2660 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R099C6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥115.323774 +10：￥104.202255 +100：￥86.264734 +500：￥80.771977	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 119 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2660 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPP60R099C6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥87.868666 +50：￥70.200636 +100：￥62.809667 +500：￥55.420698 +1000：￥49.878541	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 99mOhm @ 18.1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2660 pF @ 100 V

Mouser

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	IPP60R099C6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 119 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2660 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R099C6XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥48.84483	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP60R099C6XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	37.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	99 毫欧 18.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1.21mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	119 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2660 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	278W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）