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IXTP96P085T_未分类
IXTP96P085T
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场效应管(MOSFET) IXTP96P085T TO-220-3

未分类

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¥58.9512

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¥44.089617

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¥34.181774

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¥24.769426

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¥22.292435

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IXTP96P085T
授权代理品牌
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¥38.518627

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¥37.677227

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¥37.109009

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IXTP96P085T_未分类
IXTP96P085T
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IXTP96P085T LITTELFUSE

未分类

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¥35.45516

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¥32.415121

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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IXTP96P085T_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥32.269995

+50:

¥19.787261

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 85 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 96A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 48A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 180 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 298W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXTP96P085T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥78.940958

+50:

¥48.404882

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 85 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 96A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 48A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 180 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 298W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXTP96P085T_晶体管
IXTP96P085T
授权代理品牌

MOSFET P-CH 85V 96A TO-220

晶体管

+1:

¥99.303786

+10:

¥88.034113

+100:

¥73.497868

+500:

¥64.02481

+1000:

¥54.388422

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 85 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 96A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 48A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 180 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 298W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTP96P085T_未分类
IXTP96P085T
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

未分类

+50:

¥57.85417

+100:

¥46.988668

+250:

¥46.517497

+500:

¥42.134171

+1000:

¥40.535044

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXTP96P085T_未分类
IXTP96P085T
授权代理品牌

MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds

未分类

+50:

¥45.518132

+100:

¥42.581477

+500:

¥37.491279

+1000:

¥32.303191

+2000:

¥31.617972

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXTP96P085T_未分类
IXTP96P085T
授权代理品牌
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¥41.823705

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
IXTP96P085T_未分类
IXTP96P085T
授权代理品牌
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¥71.960949

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTP96P085T参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: TrenchP™
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 85 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 96A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 48A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 180 nC 10 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13100 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 298W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)