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搜索 IMZA65R107M1HXKSA1 共 12 条相关记录
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IMZA65R107M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMZA65R107M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥106.614794

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Digi-Key
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IMZA65R107M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMZA65R107M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥106.019543

+30：

￥65.330222

+120：

￥55.993005

+510：

￥55.201302

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Mouser
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IMZA65R107M1HXKSA1_晶体管
IMZA65R107M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

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晶体管
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￥114.919451

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￥105.798859

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￥70.974783

+100：

￥60.693389

+480：

￥59.698416

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

艾睿
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IMZA65R107M1HXKSA1_未分类
IMZA65R107M1HXKSA1
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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未分类
+240：

￥121.662241

+510：

￥116.450797

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货期：7~10 天

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IMZA65R107M1HXKSA1_未分类
IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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+240：

￥53.614913

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IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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￥44.785376

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IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

未分类
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￥68.179311

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￥67.817937

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￥66.372439

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IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
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场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 20A, TO-247

未分类
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￥70.189144

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￥63.021811

+10：

￥55.854474

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￥53.012913

+100：

￥50.158663

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货期：7~10 天

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IMZA65R107M1HXKSA1_未分类
IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
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￥54.011709

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￥53.725428

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￥52.580303

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货期：7~10 天

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IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
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MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-247

未分类
+1：

￥79.073812

+5：

￥70.999947

+10：

￥62.926081

+50：

￥59.709053

+100：

￥56.504541

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

IMZA65R107M1HXKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
温度: -