IPP60R022S7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥109.42272 +200：￥91.1856 +500：￥72.94848 +1000：￥60.7904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥112.288627 +200：￥43.457753 +500：￥41.927935 +1000：￥41.173953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥154.09471	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥162.675254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥153.616005 +100：￥129.783976 +500：￥116.02335 +1000：￥109.371827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥161.804081 +13：￥156.887284 +25：￥149.062669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥165.723995 +10：￥149.496688 +100：￥126.303725 +500：￥112.91196 +1000：￥106.438978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥176.546618 +10：￥162.286693 +100：￥129.450946 +500：￥115.17924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥64.47992 +50：￥52.196029 +100：￥49.12564 +500：￥44.520231 +1000：￥40.835765	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPP60R022S7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™S7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 23A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.44mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	150 nC 12 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5639 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	390W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥162.675254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥153.616005 +100：￥129.783976 +500：￥116.02335 +1000：￥109.371827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥161.804081 +13：￥156.887284 +25：￥149.062669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥165.723995 +10：￥149.496688 +100：￥126.303725 +500：￥112.91196 +1000：￥106.438978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPP60R022S7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥176.546618 +10：￥162.286693 +100：￥129.450946 +500：￥115.17924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 23A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.44mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5639 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）