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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRLR4132TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLR4132TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥22.99968

+200：

￥19.1664

+500：

￥15.33312

+1000：

￥12.7776

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRLR4132TRPBF_null
IRLR4132TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
+1：

￥23.602903

+200：

￥9.135198

+500：

￥8.818307

+1000：

￥8.654398

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRLR4132TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLR4132TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥7.705401

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

自营 国内现货
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IRLR4132TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLR4132TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2000：

￥3.123935

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRLR4132TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRLR4132TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2000：

￥7.641971

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRLR4132TRPBF_null
IRLR4132TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
+1：

￥16.6444

+10：

￥15.007246

+100：

￥11.678366

+500：

￥9.65921

+1000：

￥8.472272

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

IRLR4132TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
温度: -