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搜索 IMW65R107M1HXKSA1 共 13 条相关记录
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IMW65R107M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R107M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥79.10784

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￥65.9232

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￥52.73856

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￥43.9488

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

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IMW65R107M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R107M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
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￥25.012521

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

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IMW65R107M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R107M1HXKSA1
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

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IMW65R107M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R107M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
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国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

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IMW65R107M1HXKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IMW65R107M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥99.18732

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￥79.17952

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￥70.843297

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￥62.508821

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￥56.257903

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

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Mouser
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IMW65R107M1HXKSA1_晶体管
IMW65R107M1HXKSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

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晶体管
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￥125.316985

+10：

￥120.880986

+25：

￥99.176275

+100：

￥89.353703

+240：

￥88.403133

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

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艾睿
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IMW65R107M1HXKSA1_未分类
IMW65R107M1HXKSA1
授权代理品牌

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

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未分类
+240：

￥81.583939

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货期：7~10 天

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IMW65R107M1HXKSA1_未分类
IMW65R107M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
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CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

未分类
+4：

￥84.567262

+10：

￥69.245384

+50：

￥65.919705

+100：

￥60.574864

+200：

￥57.486735

库存： 0

货期：7~10 天

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IMW65R107M1HXKSA1_未分类
IMW65R107M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
授权代理品牌
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￥67.099919

+10：

￥54.942772

+50：

￥52.30401

+100：

￥48.063144

+200：

￥45.612867

库存： 0

货期：7~10 天

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IMW65R107M1HXKSA1_未分类
IMW65R107M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-247

未分类
+1：

￥81.273069

+5：

￥71.421082

+10：

￥61.557456

+50：

￥58.063844

+100：

￥54.57023

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

IMW65R107M1HXKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
温度: -