IPB017N10N5LFATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥111.920281 +10：￥93.266921 +30：￥74.61344 +100：￥62.177907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥57.040349 +10：￥50.003188 +30：￥45.70877 +100：￥42.113699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥28.792446 +2000：￥26.979649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥70.433951 +2000：￥65.999369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥124.159139 +10：￥106.428244 +100：￥88.694489 +500：￥78.259978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7
IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥124.159139 +10：￥106.428244 +100：￥88.694489 +500：￥78.259978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7

Mouser

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	IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥132.459492 +10：￥116.616618 +25：￥116.289961 +100：￥100.610416 +500：￥89.50407	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPB017N10N5LFATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥154.173282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPB017N10N5LFATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥77.19701 +10：￥57.182969 +50：￥53.275467 +100：￥47.366561 +200：￥44.126192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB017N10N5LFATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.7 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.1V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	195 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	840 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	313W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）