IRFR3410TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFR3410TRPBF 共 50 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.203735 +10：￥6.608385 +30：￥6.489315 +100：￥6.132105	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.33556 +200：￥4.73836 +500：￥3.67356 +2000：￥2.662 +10000：￥2.3958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.72734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥3.769068 +100：￥1.833943 +1000：￥1.562014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFR3410TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR3410TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.296776 +2500：￥3.082394 +7500：￥3.001975 +12500：￥2.921556 +15000：￥2.814365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥2.631859	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR3410TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR3410TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥3.350424 +40：￥3.216357 +160：￥3.082394 +2500：￥3.001975 +7500：￥2.894679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥8.851831 +10：￥7.587253 +30：￥6.638873 +100：￥5.59068 +500：￥5.311161	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.455085 +6000：￥2.338157 +10000：￥2.230282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFR3410TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	39 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1690 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFR3410TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥3.769068 +100：￥1.833943 +1000：￥1.562014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFR3410TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR3410TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.296776 +2500：￥3.082394 +7500：￥3.001975 +12500：￥2.921556 +15000：￥2.814365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥2.631859	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR3410TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR3410TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥3.350424 +40：￥3.216357 +160：￥3.082394 +2500：￥3.001975 +7500：￥2.894679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFR3410TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥8.851831 +10：￥7.587253 +30：￥6.638873 +100：￥5.59068 +500：￥5.311161	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）