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自营现货库存

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	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥93.832467 +200：￥37.436827 +500：￥36.191118 +1000：￥35.568264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

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	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥51.309566	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

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	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

自营国内现货

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	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.916578	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.522671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -
	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册未分类	+3000：￥59.940182	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 65mOhm @ 15.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 800µA Supplier Device Package： PG-VSON-4-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2850 pF @ 400 V
	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册未分类	+1：￥112.811328 +10：￥96.666901 +100：￥80.552422 +500：￥71.075415 +1000：￥63.96773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 65mOhm @ 15.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 800µA Supplier Device Package： PG-VSON-4-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2850 pF @ 400 V
	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册未分类	+1：￥112.811328 +10：￥96.666901 +100：￥80.552422 +500：￥71.075415 +1000：￥63.96773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 65mOhm @ 15.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 800µA Supplier Device Package： PG-VSON-4-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2850 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R065C7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET HIGH POWER_NEW 下载数据手册未分类	+1：￥103.689486 +10：￥92.929257 +25：￥87.549143 +100：￥82.658128 +250：￥80.049588	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R065C7AUMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥91.889846 +6000：￥91.28621 +9000：￥90.682575 +12000：￥90.065219 +15000：￥89.461584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPL60R065C7AUMA1参数规格

属性	参数值
系列:	*
工作温度:	-
安装类型:	-
封装/外壳:	-
供应商器件封装:	-