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Digi-Key
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IXTA10P50P-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+800:

¥59.171622

+1600:

¥53.254547

+2400:

¥49.901536

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2840 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXTA10P50P-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥93.867843

+10:

¥80.468279

+100:

¥67.061626

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PolarP™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (IXTA)

IXTA10P50P-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PolarP™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (IXTA)

IXTA10P50P-TRL_未分类
IXTA10P50P-TRL
授权代理品牌

MOSFET P-CH 500V 10A TO263

未分类

+800:

¥52.67507

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-263AA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

IXTA10P50P-TRL_未分类
IXTA10P50P-TRL
授权代理品牌

MOSFET P-CH 500V 10A TO263

未分类

+1:

¥123.612688

+10:

¥84.050507

+100:

¥61.654887

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-263AA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

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IXTA10P50P-TRL
授权代理品牌

MOSFET P-CH 500V 10A TO263

未分类

+1:

¥123.612688

+10:

¥84.050507

+100:

¥61.654887

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-263AA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

Mouser
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IXTA10P50P-TRL
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MOSFET P-CH 500V 10A TO263

未分类

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¥117.40728

+10:

¥91.20622

+25:

¥86.562996

+100:

¥69.316727

+500:

¥66.995115

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2840 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTA10P50P-TRL
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Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥54.125848

+2400:

¥51.494622

+4000:

¥51.15411

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXTA10P50P-TRL_未分类
IXTA10P50P-TRL
授权代理品牌

MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA

未分类

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¥61.05625

+10:

¥47.422838

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¥41.057094

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¥34.717492

+1000:

¥34.704421

库存: 0

货期:7~10 天

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IXTA10P50P-TRL_未分类
IXTA10P50P-TRL
授权代理品牌

MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA

未分类

+1:

¥65.244111

+10:

¥50.66114

+100:

¥43.859018

+500:

¥36.959021

+1000:

¥36.224978

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTA10P50P-TRL参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Polar
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2840 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AA
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)