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IXKC23N60C5_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

晶体管-FET,MOSFET-单个

+50:

¥146.61371

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 1.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2800 pF 100 V

FET 功能: 超级结

功率耗散(最大值): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS220™

封装/外壳: ISOPLUS220™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXKC23N60C5_未分类
IXKC23N60C5
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

未分类

+1:

¥175.721205

+10:

¥161.532536

+50:

¥141.477398

+100:

¥133.700916

+500:

¥129.062314

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 1.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2800 pF 100 V

FET 功能: 超级结

功率耗散(最大值): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS220™

封装/外壳: ISOPLUS220™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXKC23N60C5_未分类
IXKC23N60C5
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 600V 23A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220

未分类

+50:

¥95.848535

+5000:

¥86.279158

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXKC23N60C5参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2800 pF 100 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): -
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS220™
封装/外壳: ISOPLUS220™
温度: -55°C # 150°C(TJ)