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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA100N15X4_未分类
IXTA100N15X4
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IXTA100N15X4 美国力特

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IXTA100N15X4_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥102.589648

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¥90.519728

+1000:

¥81.467783

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Ultra X4

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3970 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IXTA100N15X4_未分类
IXTA100N15X4
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MOSFET N-CH 150V 100A TO-263

未分类

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¥143.614424

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¥133.414076

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¥117.223047

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库存: 0

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品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Ultra X4

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3970 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IXTA100N15X4参数规格

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