IRFS3107TRL7PP厂家价格_数据手册

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	IRFS3107TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥25.690118 +200：￥9.946256 +500：￥9.59966 +800：￥9.42111	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥19.864845 +100：￥19.503666 +500：￥19.323077 +1000：￥19.052192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFS3107TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥22.562343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFS3107TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥21.007024 +1600：￥17.987241 +2400：￥16.936947	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS3107TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥36.300068 +1600：￥31.081892 +2400：￥29.266988	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS3107TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.060664 +10：￥50.478372 +100：￥40.837513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)
IRFS3107TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.060664 +10：￥50.478372 +100：￥40.837513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥75.095134 +10：￥63.054564 +25：￥62.579278 +100：￥43.409423 +800：￥35.804854	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRL7PP 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥26.529268 +1600：￥26.263696 +2400：￥25.341182	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107TRL7PP Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+6：￥55.223338 +10：￥49.209456 +50：￥44.997946 +100：￥40.906281 +200：￥40.54675	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFS3107TRL7PP参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.6 毫欧 160A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	240 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9200 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	370W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK（7-Lead）
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）